位错

晶体材料由规则排列的原子构成，可抽象为空间点阵。逐层堆垛的原子构成晶面。在完整晶体中，晶面等间距规则排列。位错是原子的局部不规则排列，属于线缺陷，是从几何角度定义的晶体学缺陷。

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若一个晶面在晶体内部突然终止于某一条线处，则称为刃位错。刃位错由位错线和伯格斯矢量唯一确定。伯格斯矢量垂直于位错线方向。刃位错附近的原子面会发生扭曲，应力场可通过弹性力学求解。

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将晶面想象成一叠纸片，剪开后上下错动，形成类似楼梯拐角的排列结构，剪开线终结处附近的原子面畸变形成螺位错。螺位错的应力场只有一个剪应力分量不为零，呈轴对称分布，但在核心区不适用。

实际晶体中的位错多为混合型，兼具刃型和螺型特征，其伯氏矢量既不平行也不垂直于位错线。

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间接观察

利用位错露头处化学稳定性低的特点，用酸性腐蚀剂形成腐蚀坑，通过扫描电子显微镜或干涉显微镜观察。腐蚀坑的形状可确定晶体取向。

直接观察

使用透射电子显微镜（TEM）观察位错。试样需加工成薄膜，电子衍射因位错附近晶格畸变产生衍射衬度，从而成像。TEM放大倍数通常在5万到30万倍之间，可原位观察位错运动。场离子显微镜和原子探针可在原子尺度直接观察位错。 ADFASDFAF23RQ23R

位错密度随塑性变形增加，满足关系式。起源机制包括均匀成核、晶界成核和界面成核。增殖机制主要有弗兰克-里德位错源、双交滑移增殖和攀移增殖。

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1934年，欧罗万、波拉尼和泰勒提出塑性变形的位错机制，解决了理论强度与实际测试结果的矛盾。位错运动使晶体滑移，所需剪应力远低于整体滑移。冷加工导致位错密度升高，相互缠结，引起加工硬化。退火可消除应变硬化。

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刃位错可发生攀移，即多余半原子面的伸长或缩短，驱动力来自空位运动。正攀移吸收空位，负攀移放出原子。压应力促进正攀移，拉应力促进负攀移。温度升高显著增加攀移概率，而对滑移影响较小。 ADFASDFAF23RQ23R

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