中国科学院微电子研究所
元大都城垣遗址之畔，奥运园区之旁，坐落着中国微电子行业的“国家队”——中国科学院微电子研究所。中国科学院微电子研究所的前身原中国科学院109厂成立于1958年，1986年中国科学院半导体研究所微电子学部加入，合并为中国科学院微电子中心，2003年9月正式更名为中国科学院微电子研究所。微电子研究所是一所专门从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，是中国科学院微电子技术总体和中国科学院EDA中心的依托单位。微电子研究所现有8个研究室，在职员工416人，科研与专业技术人员233人（其中科学院院士2名，高级研究人员85名）。设有博士和硕士学位授予点和博士后流动站，在读研究生230人。
中国科学院微电子研究所历史辉煌，1958年，因研制“两弹一星”和高频晶体管计算机，微电子研究所的前身中国科学院109厂应运而生，并先后为中国第一台锗晶体管计算机——“109乙机”研制出合格的半导体晶体管；为我国第一台硅晶体管计算机——“109丙机”研究生产了硅平面晶体管，提供了半导体器件；为中国第一颗人造卫星“东方红”一号提供了半导体晶体管；为中国首台1000万次/秒的晶体管计算机757机承担全部集成电路的研制生产任务。在几十年的变革与发展历史中，微电子研究所几代科技工作者为中国微电子技术与产业的发展付出了持续不懈的艰苦努力。承担并完成了上百项国家科研任务，取得了丰硕的成果，为中国微电子技术的进步作出了重要贡献。
在新的历史时期，中国科学院微电子研究所作为中国科学院“知识创新工程”试点单位，秉承“惟精惟一、求是求新”的办所精神，确立了当前的办所方针和发展目标；打造现代化的高技术研究机构。面向国家在微电子领域的战略需求，加强关键技术创新与集成，承担重点科技攻关与产品开发；面向产业发展需求，建设开放平台，通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化；拓展前沿技术与基础研究领域，发展交叉学科方向，成为我国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地，为促进国家微电子技术进步和自主创新，实现产业的可持续发展作出贡献。
多年来，中国科学院微电子研究所与国内外众多的高校、科研机构和企业开展了全方位的合作与交流，在中国微电子领域拥有广泛的影响。为直接服务于社会，微电子研究所还根据产业发展和市场需求，通过技术服务、成果转让和产品销售面向市场，进行成果转化。1998年4月、2002年6月微电子研究所分别通过了ISO9002及ISO9001(2000版)质量体系认证。
一、1958年8月～1960年10月（归中科院物理所建制）
二、1960年10月～1965年9月（归中科院半导体所建制）
三、1965年9月～1967年4月（归中国科学院建制）
四、1967年4月～1974年12月（归国防科委十四院建制）
五、1975年1月～1986年4月（归中国科学院建制）
六、1986年，一〇九厂与半导体所的微电子学研究部分合并，成立中国科学院微电子中心（归中国科学院建制）
七、2003年，更名为微电子研究所（归中国科学院建制）
109厂阶段
第一届领导班子及组织机构（1958年～1960年）
隶属单位：中国科学院物理研究所
厂长：唐生金
副厂长：王振玉、孙有忱（负责北郊基建）、张明清（1960年4月来厂）、李玉海（1960年5月来厂）
党支部书记：庄蔚华（1958年11月止）
下设机构：党委办公室、团委办公室、工会办公室、厂长办公室、供销科、财务科、计划科、人保科、总务科、技术科、一至十二车间、中心室、图书馆
第二届领导班子及组织机构（1960年～1965年）
隶属单位：中国科学院半导体研究所（根据（60）院字第189号发文，自1960年9月6日起，以中国科学院物理研究所半导体研究室为基础，成立中国科学院半导体研究所。）
厂长：唐生金（兼党总支书记，1962年调回物理所）、方明（半导体所副所长，兼管109厂到1963年）、周振恒（1964年4月来厂）
副厂长：李玉海（兼党总支副书记）、张明清、孙有忱（1962年回所）、王振玉（1961年回所）、王忠（1965年5月来厂）
下设机构：总工程师室、厂部办公室、党委办公室、设计室、工艺室、技术检验室、机械设备设计室、图书资料管理室、总务科、计划科、供销科、财务科、人事科、保卫科、材料车间、器件试制车间、器件生产车间、机械与管壳车间、测试分析装配车间、动力车间
第三届领导班子及组织机构（1965年～1967年）
隶属单位：中国科学院（根据（65）院新综字第0891号发文，109厂自1965年9月1日起，从半导体所划出，单立户头，定名为中国科学院109厂，直接由中科院管理）
厂长：周振恒(兼党委书记)、王忠(党委副书记)
副厂长：李玉海、张明清
院派工作组组长：俞健新
下设机构：厂办公室、计划科、供销科、财务科、人事保卫科、总务科、党委办公室、器件生产车间、器件试制生产车间、材料车间、测试分析装配车间、机械与管壳车间、动力车间、总工程师室、设计科、工艺科、技术检验室、机械设备设计室、图书资料管理室
第四届领导班子及组织机构（1967年～1974年）
隶属单位：国防科委十四院（自1967年5月17日起实行军事管制）
厂长：周振恒（兼党委书记）、王忠（党委副书记）
副厂长：李玉海、张明清、李荣昌、周丰年（新乡713厂搞基建）
1967年军管小组组长：汪大来
副组长：王宏邦
1971年军管小组组长：郭月中
副组长：吕光录、闫成录、王开旗
1968年4月工宣队进驻109厂
工宣队队长：姚远利
1968年6月成立“革命委员会”
革命委员会副主任：徐申、何平江
委员：徐申、何平江、李洪海、王乡（女）、孙长富、张广礼、金殿义、王大来（军代表）、张复才（军代表）
下设机构：政治部（下设组织（党团）科、宣传科、人事科、保卫科）、科研生产处（下设计划科、新技术科、情报资料室）、后勤处（下设管理科、物资供应科、财务科、卫生所）、厂办公室、一车间、二车间、三车间、四车间、五车间、六车间、七车间、八车间
第五届领导班子及组织机构（1975年～1980年）
隶属单位：中国科学院（根据（75）科发办字509号文，自1975年起，109厂（含新乡工地）划归中国科学院建制）
厂长：周振恒(后为顾问)、李德仲(1978年8月来厂)
副厂长：张明清(后为顾问)、王忠(后为顾问)、李荣昌、周丰年、李培生
1975年院派工作组组长：张俊千
副组长：丁波
1976年院派工作组组长：张征秉
副组长：何平江
1977年院派核心小组组长：曹文俊
副组长：王志远
1978年院派核心小组组长：肖振华
下设机构：厂办公室、党委办公室、人事科、保卫科、计划科、总工程师办公室、技术科、教育科、引进办公室、器材科、基建办公室、行政科、食堂科、运输科、财务科、人防办公室、医务室、一车间、二车间、三车间、四车间、六车间、七车间、管壳车间、研究室、检验科
第六届领导班子及组织机构（1980年～1986年）
隶属单位：中国科学院
厂长：王守武
党委第一书记：刘再生（1980年～1982年）
第二书记：张育英（1980年～1982年）
党委书记：邓彪（1982年～1986年）
党委副书记：于述芳、周先路（兼纪委书记，1983年～1986年）
副厂长：张育英（1980年～1982年）、刘茂章、周丰年、张钟达
下设机构：一分厂、二分厂、厂办公室、党委办公室、纪委、工会、团委、调研室、人事处、保卫处、生产经营处、器材处、总工程师办公室、行政处、财务科、基建办公室、劳动服务公司、厂家属委员会、设计室、理化室、新品室、电子技术室、前工序车间、后工序车间、测试车间、机动车间、金工车间、检验科、工艺室
微电子中心阶段
根据（86）科发计字0037号发文，至1986年1月16日起，成立中国科学院微电子研究中心，109厂的建制取消。
第一届领导班子及组织机构（1986年～1989年）
隶属单位：中国科学院
名誉主任：王守武
中心主任：沈世钢
技术顾问：林兰英、王守觉
党委书记：张钟达
副书记：周先路
副主任：马俊如、刘茂章、周丰年、吴德馨、周先路
下设机构：中心办公室、党委办公室、开发处、器材处、人事处、保卫处、行政处、财务室、总工办、超大规模集成电路研究室、新工艺新技术研究室、新器件研究室、CAD研究室（计算机辅助设计研究室）、CAM（计算机辅助制版研究室）、微电子情报研究室、理化分析研究室、第一工艺线、工艺室、第三工艺线、第四工艺线
第二届领导班子及组织机构（1989年～1993年）
隶属单位：中国科学院
名誉主任：王守武
中心主任：赵玉成（1989～1991年）、吴德馨（1991～1993年）
党委书记：邓彪（1989～1992年）、张钟达（1992～1993年）
副书记：孙长富（1989～1992年）、严福宁（1992～1993年）
常务副主任：邓彪
副主任：仇玉林、骆国良、刘茂章、何晋、杨盛溶
下设机构：综合办公室、党委办公室、科技处、开发处、器材处、人事处、保卫处、行政处、财务处、大规模集成电路及其工艺技术研究室、CAD研究室、亚微米微细加工技术研究室、前工艺线、后工艺线、新品室、测试室、理化分析室、动力运行站
第三届领导班子及组织机构（1993年～1997年）
隶属单位：中国科学院
名誉主任：王守武
中心主任：吴德馨
党委书记：张钟达（1993年～1994年）、严福宁（1996年～1997年）
副书记：严福宁（1993年～1996年）
副主任：仇玉林、龚义元、张健欣（1993年～1996年）、钱鹤（1995年～1997年）、严福宁
下设机构：中心办公室、党群办公室、城区办公室、业务办公室、销售处、人事教育处、行政办公室、财务处、硅器件与集成电路研究室、集成电路设计研究室和微细加工研究室、前工艺线、后工艺线、理化分析室、动力运行站
第四届领导班子及组织机构（1997年～2001年）
隶属单位：中国科学院
名誉主任：王守武
中心主任：仇玉林
常务副主任：龚义元
党委书记：严福宁
副主任：严福宁（兼）、钱鹤、刘劲翔
下设机构：中心办公室、党群办公室（1999年合并至中心办公室）、城区办公室、科学技术与研究开发处、人事教育处、行政处、财务处、器材处、硅器件与集成电路研究室、集成电路设计研究室、微细加工研究室、前工艺线、后工艺线、理化分析室、动力运行站
第五届领导班子及组织机构（2001年～2003年）
隶属单位：中国科学院
名誉主任：王守武
中心主任：钱鹤
副主任：叶甜春、黄晓兰、谭福安（兼）
党委书记：谭福安
副书记：叶甜春（兼纪委书记）
下设机构：中心办公室（党委办公室）、科学技术与研究开发处、质量采购处（2002年成立）、人事教育处、财务处、行政处、硅器件与集成技术研究室、集成电路设计研究室、微细加工与纳米技术研究室、化合物半导体器件研究室、通信与多媒体SOC研究室，前工艺线、后工艺线、动力运行站
微电子所阶段
根据科发人教字[2003]287号文件，中国科学院微电子中心自2003年10月16日起，更名为中国科学院微电子研究所。
第一届领导班子及组织机构（2003年～2005年）
隶属单位：中国科学院
所长：钱鹤
党委书记：谭福安
副书记：叶甜春（兼纪委书记）
副所长：叶甜春、黄晓兰、谭福安（兼）
下设机构：所（党委）办公室、科技处、人事教育处、质量采购处、财务处、硅器件与集成技术研究室、集成电路设计研究室、微细加工及纳米技术研究室、化合物半导体器件研究室、通信与多媒体SOC研究室、前工艺线、后工艺线、动力运行站
第二届领导班子及组织机构（2005年至今）
隶属单位：中国科学院
所长：钱鹤（2005年6月～2006年6月）、叶甜春（2007年7月至今）
党委书记：谭福安（2005年10月～2006年4月）、李培金（2006年4月至今）
副书记：叶甜春（2005年10月～2006年7月）
副所长：叶甜春（2005年6月～2007年7月）、谭福安（兼）（2005年6月～2006年4月）、周玉梅（2006年8月至今）、李培金（兼）（2006年至今）
下设机构：所办公室、党委办公室&信息中心、科技处、人事教育处、财务处、资产管理处、硅器件与集成技术研究室（一室）、专用集成电路与系统研究室（二室）、微细加工与纳米技术研究室（三室）、微波器件与集成电路研究室（四室）、通信与多媒体SOC研究室（五室）、电子系统总体技术研究室（六室）、电子设计平台与共性技术研究室（七室）、微电子设备技术研究室（八室）
> 主任： 吴德馨副主任： 叶甜春 陈杰
委员：仇玉林 刘训春 徐秋霞 海潮和 陈宝钦 夏洋 韩郑生 周玉梅 刘明 刘新宇 阎跃鹏 叶青 张海英 陈大鹏
秘书：施冰 李荣敏
吴德馨
姓 名： 吴德馨（博士生导师）
职 称： 研究员、中国科学院院士（学部委员）
出生年月： 1936年12月
毕业院校： 1961年毕业于清华大学无线电电子工程系
研究方向：半导体器件和集成电路
工作经历：
曾任国家重大科技攻关课题负责人；攀登计划首席科学家；国家重大基础研究顾问专家组成员；中科院学部主席团成员；中国电子学会常务理事；半导体与集成技术分会主任；第九届、十届全国人大常委会委员和教科文卫委员会委员等职务。
研究领域：
主要从事化合物半导体异质结晶体管和电路的研究，包括0.1微米砷化镓/铝镓砷异质结高迁移率场效应晶体管、砷化镓/铟镓磷HBT晶体管，氮化镓/铝镓氮异质结场效应功率晶体管和研制成功砷化镓/铟镓磷HBT光发射驱动电路。
所获荣誉：
在国内率先提出了利用MEMS结构实现激光器和光纤的无源耦合。并研究成功工作速率达10Gbps的光发射模块。其中“先进的深亚微米工艺技术及新型器件”获2003年北京市科学技术一等奖。
独立自主开发成功全套0.8微米CMOS工艺技术。获1998年中科院科技进步一等奖和1999年国家科技进步二等奖。作为国家攀登计划首席科学家负责“深亚微米结构器件及介观物理项目研究。开展了12项课题的研究。为介观物理基础和新结构器件的进一步研究打下基础。
作为工艺负责人研究成功N沟MOS4K、16K动态随机存储器和成品率的提高。独创了检验接触孔质量的露点检测法。并推广到上海器件五厂。分别获得1980和1981年中科院科技成果一等奖两次。负责平面型高速开关管的研究，独立解决了提高开关速度的关键问题，并推广至上海器件五厂和109厂，为两弹一星采用的109计算机提供器件基础。获国家新产品一等奖。
2004年，获何梁何利技术科学奖。
硅器件与集成技术研究室前身是中国科学院半导体所的大规模集成电路技术研究室，在王守武院士、吴德馨院士等老一代科学家关怀和领导下不断发展壮大，为国家微电子事业作出了重大贡献。在微电子中心不同阶段，曾使用过“第一研究室”、“大规模集成电路技术研究室”、“深亚微米集成电路技术研究室”等名称。
研究室目前致力于硅基集成电路工艺技术及MEMS技术研究，在CMOS工艺技术研发方面具有雄厚的实力。长期从事CMOS先导工艺技术研究，取得了多项代表国家IC工艺研究水平的成果。是国内最早制造霍尔电路和VDMOS器件的单位。
研究室具有正副研究员７名（其中博士导师4名），和一批具有丰富实践经验的助理研究员、工程师及实验师，在读博士生及硕士生。培养毕业硕士、博士生80人已毕业42人。在近3年中发表论文160余篇，申请专利16项。研究室拥有一个CMOS/MEMS工艺实验室，下设SOI集成电路、CMOS工艺技术、MEMS，高性能功率器件四个课题组。
在国家“六五”科技攻关中，出色地完成了4KDRAM、16KDRAM和64KDRAM的研制；在国家“七五”科技攻关期间，完成了“定制、半定制集成电路设计与制造”，“1～1.5μm新工艺、新器件”结构的探索性研究等重大研制项目；在国家“八五”科技攻关中，自主开发成功了“0.8微米集成电路芯片制造技术”，并应用此技术研制成集成度为7000门的通用模糊控制器电路和双层金属布线的高速时钟驱动电路；在“九五”期间，开发了0.18和0.25微米CMOS集成电路关键工艺技术，并用以研制成功千门级实用电路、性能良好的0.1微米CMOS器件及环振电路、大规模SOI/CMOS实用电路。
在高性能功率器件方面，“八五”与“九五”期间承担多项科技攻关，形成系列功率VDMOS产品，量产芯片大量投放市场，获得一项“八五”攻关重大成果奖与多项院级科技进步奖。
2004年，高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究获北京市科学技术一等奖。2005年，亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究获国家技术发明二等奖。
该室现在具有HP82000、SK7000B线性/数字集成电路测试仪及1034自动探针台等测试设备。
专用集成电路与系统研究室是微电子研究所从事硅集成电路设计技术研究的重点研究室，成立于1986年。在国家“七五”、“八五”、“九五”及“十五”期间，均承担并完成了国家许多重点和重大项目，培养了大批的集成电路设计高级人才。研究室的目标：追踪集成电路设计技术前沿发展，支撑国际集成电路需求，引领集成电路技术的应用。满足国家对集成电路的需求，培养高级集成电路设计人才。
研究室现有21名专业技术人员，其中研究员、副研究员6人，研究关注高速数字信号处理、低功耗设计、高性能模拟与射频集成电路设计。
2004年成功研发专用DSP，峰值运算能力为256亿次累乘加/秒，达到国际水平。在近5年里发表论文78篇，申请专利26项，承担ICSICT-2006国际会议“RF/mixed-signalUltrawidebandTransmitter”分会联合主席。国际会议邀请报告4次。培养毕业硕士、博士研究生18人。
研究室下设：实时信号处理实验室、混合信号实验室、CMOS射频模拟电路实验室。
所标涉及创意说明：
标志以菱形为主体充分体现出研究所团队的严谨与理性，同时相叠的菱形代表了微电子产品，向右形成的两个充满力量的箭头，表明了研究所在微电子领域中勇于探索、不断钻研与开拓的精神。箭头向细变化，表现了产品向着更细、更精发展的物理特点。标志中心快速运动的线条，是微电子技术飞速发展的写照，表现出我所要在不断发展中求平稳、求创新的精神。
中英文简称横式组合比例图：
标识与中英文简称标准字横式组合是应用最为广泛的组合形式，在正式场合使用极具庄重感。
横式标准组合比例图标明了标志与标准字横与竖的比例关系，并设定了一个单位为b，便于今后的放大应用。
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