郑有炓

郑有炓，1935年生于福建大田，1957年毕业于南京大学物理系，现任南京大学物理系教授，2003年当选为中国科学院院士。长期致力于新型半导体异质结构材料与器件物理研究，在锗硅、Ⅲ族氮化物等异质结构研究中取得系统性创新成果。 ADFASDFAF23RQ23R

郑有炓在半导体异质结构领域的主要学术贡献包括：

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• 锗硅异质结构：发展了光辐射加热超低压CVD生长方法，以超低经费研制出计算机控制生长设备，制备出优质锗硅异质结构材料；发现锗硅合金应变诱导有序化新结构并提出新模型；提出基于锗硅技术实现二氧化硅/硅界面量子限制硅纳米结构。
• Ⅲ族氮化物异质结构：发展生长新方法与技术，揭示异质结构极化、二维电子气及其相关性质；提出并实现铁电体/氮化镓、铁磁体/半导体异质结构新体系。
• II-VI/III-V族异质体系：观测到碲化镉/锑化铟异质结构二维电子气及占据子带规律，开拓该领域研究。
• 器件创新：基于极化能带工程，创新发展了多种新器件。

郑有炓主持完成多项国家级科研任务，包括：

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代表性科研成果包括：“快速辐射加热，超低压化学气相淀积原子级外延方法与系统”（1991年通过国家科委鉴定）；“半导体界面测试的变频C-V技术”（1990年通过鉴定）；获得多项发明专利。 ADFASDFAF23RQ23R

郑有炓在南京大学培养了一支学术梯队，包括教授博导6人（含长江特聘教授1人），获国家杰出青年基金3人，1人获2001年全国优秀博士学位论文奖。他倡导民主科学氛围，鼓励学生大胆创新，学生出国深造后大多回国成为学术骨干。 ADSFAEQWER353423413434

• 1989年：江苏省科技进步三等奖（聚合物半导体薄膜）
• 1990年：江苏省科技进步三等奖（半导体变频C-V技术）
• 1992年：国防科工委光华科技基金一等奖
• 1992年：国家科委863计划先进工作者一等奖
• 1992年：国务院政府特殊津贴
• 2003年：当选中国科学院院士

1986年任美国纽约州立大学（布法罗）访问教授，先后11次赴美、德、希腊、荷兰等国际学术交流。2006年在深圳院士报告会上作“当代信息高科技的挑战”专题报告；2008年访问福建师范大学医学光电科学与技术教育部重点实验室并提出建设性意见。 ADSFAEQWER353423413434

• Zheng, Y. D., et al. (1990). 测量MOS结构界面特性的变频C-V法. 南京大学学报, 26(2), 212.
• Zheng, Y. D., et al. (1993). Phonon participation in the light emission process of porous GeSi layer. Chinese Physics Letters, 10(5).
• Zheng, Y. D., et al. (1993). Study of Ge movement during thermal reactions between Pt and Ge/Si heterostructures. Applied Physics Letters, 62(25).
• Zheng, Y. D., et al. (2004). Influence of Polarization Effects on the Energy Band of AlGaN/GaN/AlGaN Heterostructures. Chinese Physics Letters, 21(4).
• Zhang, X., & Zheng, Y. D. (2008). GaN growth with low-temperature GaN buffer layers directly on Si(111) by HVPE. Chinese Physics Letters, 21(9).
• Li, J., & Zheng, Y. D. (2004). Zn1-xMgxO薄膜的低压MOCVD生长与性质. 半导体学报, 25(7).
• Wang, Y., & Zheng, Y. D. (1992). 锗硅基区异质结双极型晶体管(GeSi-HBT)的研制. 固体电子学研究与进展, 12(4).